Samsung Electronics startet Massenproduktion des
ersten 8Gigabit DDR4 Memory in 20-nm-Prozesstechnologie (FOTO)
(ots) -
Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei Speichertechnologie,
hat mit der Massenproduktion des branchenweit innovativsten 8-gigabit
(Gb) DDR4 Memorys und eines darauf basierenden 32-gigabyte (GB)
Moduls begonnen. Beide Speicherlösungen werden in einer neuen
Prozesstechnologie mit Halbleitergeometrien von 20nm gefertigt und
sind für den Einsatz in Enterprise Servern prädestiniert.
"Unser neues 8Gb DDR4 DRAM in 20nm-Technologie übertrifft die
hohen Anforderungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit, Speicherdichte
und Energieeffizienz, die die Verbreitung von Enterprise Servern der
nächsten Generation vorantreiben" sagt Jeeho Baek, Vice President of
Memory Marketing bei Samsung Electronics. "Durch die Erweiterung der
Produktion unseres 20nm DRAM Produktangebots bieten wir High-Density
DRAM Produkte der Premium-Klasse an und erfüllen zugleich die
steigende Nachfrage von Kunden aus dem Marktsegment 'Premium
Enterprise' Lösungen."
Einschließlich seines neuen 8Gb DDR4 Memory bietet Samsung jetzt
ein komplettes Spektrum an 20nm-basierten DRAM Memorys an und führt
eine neue Ära hinsichtlich der Effizienz bei 20nm DRAMs an. Dies
beinhaltet auch das 20nm 4Gb DDR3 für PCs und das 20nm 6Gb LPDDR3 für
Mobilgeräte.
Basierend auf dem neuen 8Gb DDR4 Chip hat Samsung zum Monatsbeginn
mit der Produktion des 32GB RDIMM (Registered Dual In-Line Memory
Modul) begonnen. Die Datenübertragungsrate pro Pin des neuen Moduls
erreicht Werte bis 2.400 Mbit/s. Gegenüber der Bandbreite eines DDR3
Server-Moduls von 1.866 Mbit/s entspricht dies einer Steigerung der
Leistungsfähigkeit um etwa 29% Prozent.
Ãœber die 32GB-Module hinaus erlauben die neuen 8Gb-Chips die
Produktion von Server-Modulen mit einer maximalen Kapazität von
128GB. Die dabei eingesetzte 3D TSV-Technologie (Through Silicon Via)
begünstigt die künftige Expansion des Marktes für High-Density DRAMs.
Das neue High Density DDR4 Memory ist mit verbesserten
Fehlerkorrekturfunktionen ausgestattet. Dies erhöht die
Speicherzuverlässigkeit von Enterprise Servern. Darüber hinaus
arbeiten der neue DDR4-Chip und das neue 32GB-Modul mit 1,2V und
somit mit der zurzeit geringst möglichen Spannung.
Ãœber Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung Electronics Co. Ltd. ist ein weltweit führender Anbieter
von Technologie, die Menschen überall neue Möglichkeiten eröffnet.
Durch kontinuierliche Innovation und Marktbeobachtung transformiert
das Unternehmen die Welten der Fernsehgeräte, Smartphones, Tablets,
PCs, Kameras, Haushaltsgeräte, Drucker, LTE-Systeme, Medizingeräte,
Halbleiter und LED-Lösungen. Bei Samsung Electronics Co. Ltd. sind
286,000 Menschen in 80 Ländern beschäftigt. Der jährliche Umsatz des
Unternehmens beträgt über US$216,7 Mrd. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com.
Ãœber Samsung Semiconductor Europe
Samsung Semiconductor Europe, eine Tochtergesellschaft von Samsung
Electronics Co. Ltd. Seoul, Korea, mit Sitz in Eschborn bei
Frankfurt/Main unterhält Büros in ganz Europa und in der Region EMEA
(Middle East & Africa). Der europäische Hauptsitz ist für die
Marketing- und Verkaufsaktivitäten der Component Business Units von
Samsung Electronics zuständig. Dazu gehören die Bereiche Memory,
System LSI, LED und Display Business in EMEA. Für mehr Informationen
besuchen Sie bitte www.samsung.com/semiconductor.
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an:
Ujeong Jahnke
Samsung Semiconductor Europe GmbH
Tel. +49(0)6196-66-3300, Fax +49(0)6196-66-23525
Email: ujeong.j(at)samsung.com
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Datum: 21.10.2014 - 13:15 Uhr
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