PresseKat - SanDisk kündigt den weltweit ersten 3D-NAND-Chip mit 256 Gigabit an, ausgestattet mit Drei-Bit-pro

SanDisk kündigt den weltweit ersten 3D-NAND-Chip mit 256 Gigabit an, ausgestattet mit Drei-Bit-pro-Zelle (X3) und 48 Ebenen

ID: 1246290

(ots) - SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK), weltweit
führender Hersteller von Flash-Speicherlösungen, kündigt heute mit
dem 3D-NAND-Chip den ersten mit 256 Gigabit (Gb) und
Drei-Bit-pro-Zelle (X3) ausgestatteten 48-Lagen-Chip an. Zeitgleich
startet eine Pilotlinie in Yokkaichi, Japan in Zusammenarbeit mit dem
Partner Toshiba.

"Wir freuen uns sehr mit unserem ersten 3D-NAND-Chip in
Pilotproduktion zu gehen", sagt Dr. Siva Sivaram, Executive Vice
President, Memory Technology, SanDisk. "Das ist der weltweit erste
X3-Chip mit 256 Gigabit, der mithilfe unserer branchenführenden
48-Lagen-BiCS-Technologie(1) entwickelt wurde. Hierdurch wird die
andauernde Marktführerschaft von SanDisk im Bereich der
X3-Technologie unter Beweis gestellt. Wir werden diesen Chip nutzen,
unseren Kunden gleichbleibend hochwertige Speicherlösungen zu
bieten."

BiCS ist eine nicht-flüchtige Speicherarchitektur, die speziell
dazu entwickelt wurde, neue Level der Dichte, Skalierbarkeit und
Performance bei Flash-basierten Geräten zu erreichen. Verglichen mit
konventionellem 2D NAND werden BiCS-NAND-Speicher außerdem eine
verbesserte Lebensdauer bei Schreib- und Löschvorgängen,
Schreibgeschwindigkeiten und der Energieeffizienz aufweisen.

Der X-3-BiCS-Chip mit 256 Gigabit ist auf eine breite
Anwendbarkeit in Kombination mit Produkten aus den Bereichen
Consumer, Client, Mobile und Enterprise ausgerichtet und wird
voraussichtlich ab 2016 in Produkten von SanDisk erhältlich sein.

Ãœber SanDisk

SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) ist ein weltweit führender
Anbieter von Flash-Speicherlösungen und im Fortune 500- und S&P
500-Index gelistet. Seit über 27 Jahren treibt das Unternehmen mit
der Entwicklung zuverlässiger und innovativer Produkte die
Möglichkeiten des Speicherns voran und trägt maßgeblich zum Wandel




der Elektronikindustrie bei. Heute sind Speicherlösungen von SanDisk
das Herzstück in vielen Datenzentren und werden in Smartphones,
Tablets und PCs integriert. San Disk Produkte für Endverbraucher sind
zudem bei Hunderttausenden von Händlern weltweit erhältlich. Weitere
Informationen unter www.sandisk.de.

©2015 SanDisk Corporation. All rights reserved. SanDisk and the
SanDisk logo are trademarks of SanDisk Corporation, registered in the
U.S. and other countries.

(1)- SanDisk Umfrage vom 3. August 2015.

This news release contains certain forward-looking statements,
including expectations for 3D NAND technology, including its
development, production timing, expected timing for shipment of
SanDisk products to begin in 2016, capabilities, performance
improvements and anticipated product applications that are based on
our current expectations and involve numerous risks and uncertainties
that may cause these forward-looking statements to be inaccurate.
Risks that may cause these forward-looking statements to be
inaccurate include among others: our 3D NAND technology or our
solutions and products utilizing this new technology may not be
available when we expect and shipment may not commence when expected;
our 3D NAND technology may not perform as expected; we may experience
difficulties or delays in developing, producing or ramping with
acceptable yields our 3D NAND technology in the timeline we expect,
including as a result of supply chain difficulties or delays, or
failure to manage risks associated with our ventures and strategic
partnerships with Toshiba, or the other risks detailed from
time-to-time in our Securities and Exchange Commission filings and
reports, including, but not limited to, our most recent quarterly
report on Form 10-Q and our annual report on Form 10-K. We do not
intend to update the information contained in this news release.



Pressekontakt:

Mariella Kaluza
F&H Public Relations GmbH
Brabanter Str. 4
80805 München
Fon: +49 (89) 12175-133
Fax: +49 (89) 12175-197
sandisk(at)fundh.de


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Datum: 04.08.2015 - 11:07 Uhr
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