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Samsung startet Massenproduktion von Chips in 14nm-FinFET-Logikprozesstechnologie der zweiten Generation
ID: 1309422
Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz
(firmenpresse) - SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 - Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von innovativer Halbleitertechnologie, hat mit der Massenproduktion weiterentwickelter Logikchips in seinem LPP-Prozess (Low-Power Plus) mit Strukturen von 14nm begonnen. Der LPP-Prozess ist die zweite Generation der 14nm FinFET-Prozesstechnologie des Unternehmens.
Führend in der Massenfertigung von Produkten im fortschrittlichen FinFET-Logikprozess kündigte Samsung im ersten Quartal 2015 die Markteinführung des Prozessors Exynos 7 Octa auf der Basis des industrieweit ersten LPE-Prozesses (Low-Power Early) mit Strukturen von 14nm an. Mit dem neuen 14nm-LPP-Prozess demonstriert Samsung weiterhin seine Führungsposition in der Prozesstechnologie sowie die einzigartige Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz für seinen Prozessor Exynos 8 Octa und seine vielen Foundry-Kunden einschließlich Qualcomm Technologies Inc. Der Snapdragon? 820 Prozessor von Qualcomm® nutzt Samsungs neuen 14nm-LPP-Prozess. Man erwartet, dass er im ersten Halbjahr 2016 in Geräten zu finden sein wird.
"Wir freuen uns, mit der Produktion von Bauteilen in unserer industrieweit führenden 14nm-FinFET-Prozesstechnologie der zweiten Generation zu beginnen. Diese erreicht das Höchstmaß an Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz", sagt Charlie Bae, Executive Vice President of Sales & Marketing, System LSI Business, Samsung Electronics. "Auch in Zukunft werden wir Prozessderivate unserer 14nm-FinFET-Technologie anbieten, um unsere technologische Führungsrolle zu untermauern."
Die Einbindung dreidimensionaler (3D) FinFET-Strukturen auf Transistoren ermöglicht erhebliche Verbesserungen der Leistungsfähigkeit sowie einen deutlich reduzierten Energieverbrauch. Samsungs neuer 14nm-LPP-Prozess erlaubt gegenüber dem bisherigen 14nm-LPE-Prozess bis zu 15 Prozent höhere Geschwindigkeiten und einen um 15 Prozent gesenkten Energieverbrauch. Zurückzuführen ist dies auf Verbesserungen bei der Transistorstruktur sowie Prozessoptimierungen. Darüber hinaus bewirken "Fully-depleted" FinFET-Transistoren verbesserte Fertigungsfähigkeiten zur Überwindung von Einschränkungen bei der Skalierung.
Aufgrund dieser hervorragenden Eigenschaften gilt der 14nm-FinFET-Prozess als eine der optimiertesten Lösungen für mobile und IoT-Applikationen. Es wird erwartet, dass dieser Prozess die steigende Nachfrage des Marktes nach einer Reihe leistungsstarker und leistungseffizienter Applikationen, vom Bereich Netzwerktechnik bis hin zur Automotive-Industrie, erfüllt.
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Datum: 18.01.2016 - 09:40 Uhr
Sprache: Deutsch
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