Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 512-Gigabyte NVMe SSD im BGA-Gehäuse

(firmenpresse) - Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten NVMe* PCIe SSD (Solid State Drive) im BGA-Gehäuse (Ball Grid Array) für den Einsatz in PCs und Ultra-Slim Notebooks der nächsten Generation begonnen. Das neue NVMe SSD mit der Bezeichnung PM971-NVMe befindet sich in einem extrem kompakten Gehäuse mit allen erforderlichen SSD-Komponenten einschließlich NAND Flash Memory, DRAM sowie Controller und bietet eine herausragende Leistungsfähigkeit.

"Unser neues BGA NVMe SSD erreicht die dreifache Leistungsfähigkeit eines typischen SATA SSDs, weist den kleinsten derzeit verfügbaren Formfaktor auf und verfügt über eine Speicherkapazität von bis zu 512GB", sagt Jung-bae Lee, Senior Vice President, Memory Product Planning & Application Engineering Team, Samsung Electronics. "Die Markteinführung des Small-Scale SSDs hilft global aktiven PC-Unternehmen, schlankere und elegantere Computing-Produkte rechtzeitig auf den Markt zu bringen und zugleich Verbrauchern eine befriedigerende Computerumgebung als bisher anzubieten."

Die Implementierung des PM971-NVMe SSD in einem einzigen BGA-Gehäuse wurde durch die Kombination von 16 V-NAND Flash Chips mit 48 Layern und 256gigabit (Gb), eines 20nm 4Gb LPDDR4 Mobile DRAM-Chips und eines leistungsstarken Samsung Controllers ermöglicht. Das neue SSD hat die Abmessungen 20mm x 16mm x 1,5mm und wiegt nur etwa 1 Gramm. Das Volumen des Single-Package SSDs entspricht etwa einem Hundertstel einer 2,5-Zoll-SSD oder HDD; seine Oberfläche entspricht etwa einem Fünftel eines M.2 SSDs. Damit erhalten Hersteller von Computerprodukten eine wesentlich höhere Flexibilität bei der Entwicklung.

Darüber hinaus bietet das PM971-NVMe SSD eine Leistungsfähigkeit, die die Geschwindigkeitsgrenzen einer SATA 6Gb/s Schnittstelle leicht übertrifft. Das neue SSD ermöglicht sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 1.500MB/s (Megabyte pro Sekunde) bzw. 900MB/s bei Nutzung der TurboWrite**-Technologie. Die Leistungsdaten sind direkt vergleichbar mit der Übertragung eines 5GB-äquivalenten Full-HD Spielfilms in etwa 3s oder dem entsprechenden Download in etwa 6s. Außerdem erhöht das SSD Random Read und Write IOPS (Input Output Operationen pro Sekunde) auf bis zu 190 bzw. 150K für die einfache Handhabung von High-Speed-Operationen. Eine herkömmliche Festplatte verarbeitet nur bis zu 120 IOPS in Random Reads. Dies macht das neue Samsung Halbleiterlaufwerk (SSD) diesbezüglich über 1.500 Mal schneller als eine HDD.

Das Angebot an PM971-NVMe SSDs umfasst Versionen mit 512GB, 256GB und 128GB. Samsung wird noch in diesem Monat mit der Auslieferung der neuen SSDs an Kunden beginnen.

Als ein führender Anbieter von SSDs hat Samsung schon immer innovative SSDs vor anderen Unternehmen vorgestellt. Im Juni 2013 hat Samsung das XP941 SSD im M.2 (Mini PCI-Express 2.0) Formfaktor (80mm x 22mm) präsentiert, welches zugleich das industrieweit erste PCIe SSD für PCs war. Jetzt plant Samsung, mit dem leistungsstarken NVMe SSD im BGA-Gehäuse die rasche Erweiterung seiner Marktbasis in den Bereich Premium-Notebooks der nächsten Generation. Zu einem späteren Zeitpunkt dieses Jahres plant Samsung die Einführung von ultraschnellen NVMe SSDs mit noch höherer Speicherkapazität, um die zunehmende Nachfrage der Kunden nach höherer Leistungsfähigkeit und Speicherdichte zu erfüllen.

* Oft abgekürzt mit NVMe ist NVM Express (Non-Volatile Memory Express) eine optimierte, hochleistungsfähige, skalierbare Host-Controller-Schnittstelle mit optimierter Register-Schnittstelle und Befehlssatz, entwickelt für Enterprise-, Datacenter- und Client-Systeme, die nichflüchtige Speicher nutzen. Für mehr Informationen besuchen Sie bitte www.nvmexpress.org

** TurboWrite ist eine proprietäre Technologie von Samsung, die temporär bestimmte Bereiche eines SSDs als Schreib-Puffer nutzt. TurboWrite liefert bessere PC-Erlebnisse, da sich Anwender über wesentlich schnellere sequenzielle Schreibgeschwindigkeiten freuen können.

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Datum: 31.05.2016 - 17:20 Uhr
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